Навигация
Главная
Новости
Ресурсы
 Книги
 Справочники
 Статьи
Файловый архив
 Журналы
 Книги
 Справочники
 Просто софт
 Софт по электронике
Обратная связь
Карта сайта

СКБ КриптоНет


Книги

Уважаемый читатель!
Публикация данного документа не преследует за собой никакой коммерческой выгоды. Но такие документы способствуют профессиональному и духовному росту читателей и являются рекламой бумажных изданий таких документов. Все авторские права сохраняются за правообладателем.
За содержание книги ответственность несут ее авторы.

вый компонент, из которого состоит прибрежный песок (кремниевый диоксид); однако в таком виде он не подходит для производства микросхем.
Чтобы использовать кремний в качестве материала для изготовления микросхемы, необходим длительный технологический процесс, который начинается с получения кри­сталлов чистого кремния по методу Жокральски (Czochralski). По этой технологии сырье, в качестве которого используется в основном кварцевая порода, преобразуется в электро­дуговых печах в металлургический кремний. Затем для удаления примесей полученный кремний плавится, дистиллируется и кристаллизуется в виде полупроводниковых слитков с очень высокой степенью чистоты (99,999999%). После механической нарезки слитков полученные заготовки загружаются в кварцевые тигли и помещаются в электрические сушильные печи для вытяжки кристаллов, где плавятся при температуре более 2500° по Фаренгейту. Для того чтобы предотвратить образование примесей, сушильные печи обычно устанавливаются на толстом бетонном основании. Бетонное основание, в свою очередь, устанавливается на амортизаторах, что позволяет значительно уменьшить виб­рацию, которая может негативно сказаться на формировании кристалла.
Как только заготовка начинает плавиться, в расплавленный кремний помещается небольшой, медленно вращающийся затравочный кристалл (рис. 3.3). По мере удаления затравочного кристалла от поверхности расплава вслед за ним вытягиваются кремние­вые нити, которые, затвердевая, образуют кристаллическую структуру. Изменяя скорость перемещения затравочного кристалла (10-40 мм в час) и температуру (примерно 2500° по Фаренгейту), получаем кристалл кремния малого начального диаметра, который затем наращивается до нужной величины. В зависимости от размеров изготавливаемых мик­росхем, выращенный кристалл достигает 8-12 дюймов (20-30 мм) в диаметре и 5 футов (около 1,5 м) в длину. Вес выращенного кристалла достигает нескольких сотен фунтов.
Заготовка вставляется в цилиндр диаметром 200 мм (текущий стандарт), часто с плос­кой вырезкой на одной стороне для точности позиционирования и обработки. Затем каж­дая заготовка разрезается алмазной пилой более чем на тысячу круговых подложек тол­щиной менее миллиметра (рис. 3.4). После этого подложка полируется до тех пор, пока ее поверхность не станет зеркально гладкой.
В производстве микросхем используется процесс, называемый фотолитографией. Технология этого процесса такова: на полупроводник, служащий основой чипа, один за другим наносятся слои разных материалов; таким образом создаются транзисторы, электронные схемы и проводники (дорожки), по которым распространяются сигналы. В точках пересечения специфических схем можно создать транзистор или переключатель (вентиль).
Фотолитографический процесс начинается с покрытия подложки слоем полупровод­ника со специальными добавками, затем этот слой покрывается фоторезистивным химиче­ским составом, а после этого изображение микросхемы проектируется на ставшую теперь светочувствительной поверхность. В результате добавления к кремнию (который, есте­ственно, является диэлектриком) донорных примесей получается полупроводник. Про­ектор использует специальный фотошаблон (маску), который является, по сути, картой данного конкретного слоя микросхемы. (Микросхема процессора Pentium III содержит пять слоев; другие современные процессоры могут иметь шесть или больше слоев. При разработке нового процессора потребуется спроектировать фотошаблон для каждого слоя микросхемы.)
Проходя через первый фотошаблон, свет фокусируется на поверхности подложки, оставляя отпечаток изображения этого слоя. (Каждое изображение на микросхеме назы-

Если Вы найдете какие либо опечатки, ошибки или подозрительные неточности то обязательно сообщите об этом администрацию сайта (Сделать это можно здесь)


[ Вернуться назад ]

ТОП 10
Файлы:

  1. Карманный справочник по электронике
  2. Цифровая схемотехника
  3. Азбука разработчика цифровых устройств
  4. sPlan или RusPlan v.6.0.0.1
  5. Основы теории цепей
  6. Основы языка VHDL
  7. Справочник по полупроводниковым приборам
  8. UNILOGIC - Логический анализатор для PC
  9. Справочник по расчету параметров катушек индуктивности
  10. Программирование однокристальных микропроцессоров



Новости:

  1. В 3D-принтере лазер заменили солнечным лучом
  2. Нановолокна упростят лечение рака
  3. Квантовый компьютер: IBM переходит к практике
  4. Конференции «Форум разработчиков цифровой электроники»
  5. Магнитогорские андроиды завоюют российский рынок
  6. Создана "глушилка" болтунов, теперь там где надо будет тихо
  7. Создан компактный ветрогенератор на пьезоэлементах
  8. Робот-гепард поставил рекорд скорости
  9. Механическая рука DARPA удивляет ловкостью
  10. Создан пульт дистанционного управления мозгом

Электроника это просто1
Copyright © electronic.com.ua 2007-2024